ギ シュウキン   Xiuqin Wei
  魏 秀欽
   所属   千葉工業大学  工学部 電気電子工学科
   千葉工業大学  工学研究科 工学専攻
   千葉工業大学  工学研究科 電気電子工学専攻
   職種   教授
言語種別 英語
発行・発表の年月 2010/05
形態種別 国際会議プロシーディングス
査読 査読あり
標題 Effect of MOSFET gate-to-drain parasitic capacitance on class-E power amplifier
執筆形態 共著
掲載誌名 2010 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS2010)
掲載区分国外
巻・号・頁 pp.3200-3203
著者・共著者 Xiuqin Wei, Hiroo Sekiya, Shingo Kuroiwa, Tadashi Suetsugu, and Marian K. Kazimierczuk