ヤマウチ　ヒロシ   Yamauchi Hiroshi   山内　博    所属   千葉工業大学  工学部 宇宙・半導体工学科    職種   准教授
言語種別	日本語
発行・発表の年月	2011/10
形態種別	論文その他
標題	(BEDT-TTF)(TCNQ)結晶FETにおける電界誘起熱刺激電流と誘電特性との相関
執筆形態	共著
掲載誌名	電子情報通信学会技術研究報告
掲載区分	国内
出版社・発行元	一般社団法人電子情報通信学会
巻・号・頁	111(236),27-30頁
著者・共著者	花田光聡,酒井正俊,石黒雅人,松原亮介,山内博,中村雅一,工藤一浩
概要	これまで我々は、有機モット絶縁体(BEDT-TTF)(TCNQ)を活性層とした電界効果トランジスタ(FET)を作製し、誘電応答の温度依存性の測定から280K以下の温度領域で強誘電性を見出した。そこで(BEDT-TTF)(TCNQ)結晶FETにおいて、試料をゲート電圧により分極させた上で熱刺激電流(TSC)を測定し、この試料における自発分極の有無を検証した。その結果、ポーリングゲート電圧の極性の反転に対して対称で280K付近にピークを持つTSCが得られた。このことは、280K以下で自発分極が存在すること、及びこの温度を境に自発分極が解消することを示している。得られたTSCと誘電特性との間に見出された対応関係は280Kにおける強誘電転移の存在を支持する。
ISSN	0913-5685
PermalinkURL	http://id.ndl.go.jp/bib/023340633