ハヤシ シンイチロウ
Shin-Ichiro HAYASHI
林 真一郎 所属 千葉工業大学 工学部 電気電子工学科 職種 准教授 |
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言語種別 | 英語 |
発行・発表の年月 | 2024/05/06 |
形態種別 | 学術雑誌 |
査読 | 査読あり |
標題 | Operational Verification of Gate Drive Circuit With Condition Monitoring Function for Gate Oxide Degradation of SiC MOSFETs |
執筆形態 | 共著 |
掲載誌名 | IEEE Open Journal of Power Electronics |
掲載区分 | 国外 |
出版社・発行元 | IEEE |
巻・号・頁 | 5,pp.709-717 |
総ページ数 | 9 |
担当区分 | 筆頭著者 |
著者・共著者 | Shin-Ichiro Hayashi and Keiji Wada |
researchmap用URL | https://doi.org/10.1109/OJPEL.2024.3396839 |