ハヤシ　シンイチロウ   Shin-Ichiro HAYASHI   林　真一郎    所属   千葉工業大学  工学部 電気電子工学科    職種   准教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	2020/11/19
形態種別	学術雑誌
査読	査読あり
標題	Accelerated aging test for gate-oxide degradation in SiC MOSFETs for condition monitoring
執筆形態	共著
掲載誌名	Microelectronics Reliability
掲載区分	国外
出版社・発行元	Elsevier
巻・号・頁	114
総ページ数	6
担当区分	筆頭著者
著者・共著者	S.-I. Hayashi, K. Wada
researchmap用URL	https://doi.org/10.1016/j.microrel.2020.113777