クマタニ　アキチカ   Akichika Kumatani   熊谷　明哉    所属   千葉工業大学  工学部 電気電子工学科    千葉工業大学  工学研究科 工学専攻    職種   教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	2011/09
形態種別	学術雑誌
査読	査読あり
標題	Bottom-Contact Pentacene Thin-Film Transistors on Silicon Nitride
執筆形態	共著
掲載誌名	IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
掲載区分	国外
出版社・発行元	IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
巻・号・頁	32(9),pp.1305-1307
国際共著	国際共著
著者・共著者	James Stott,Akichika Kumatani,Takeo Minari,Kazuhito Tsukagoshi,Sandrine Heutz,Gabriel Aeppli,Arokia Nathan
概要	We fabricate high-performance pentacene thin-film transistors (TFTs) using lithographic processes compatible with industry standard amorphous silicon (a-Si) TFT fabrication. Bottom-contact bottom-gate pentacene TFTs realized with silicon nitride (SiN(x)) gate dielectric show effective mobility values of 0.59 cm(2)/Vs, contact resistances as low as 2.4 k Omega . cm, and low threshold voltages. These results demonstrate the viability of using SiN(x) as a gate dielectric for vacuum-deposited organic TFTs for large-area and flexible electronic applications.
DOI	10.1109/LED.2011.2160520
ISSN	0741-3106/1558-0563
PermalinkURL	https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=80052026198&origin=inward