ヤマウチ　ヒロシ   Yamauchi Hiroshi   山内　博    所属   千葉工業大学  工学部 宇宙・半導体工学科    職種   准教授
言語種別	日本語
発行・発表の年月	2006/12
形態種別	論文その他
標題	銅フタロシアニンを用いたSITのゲート電極ギャップに対する静特性の変化
執筆形態	共著
掲載誌名	電子情報通信学会技術報告
掲載区分	国内
出版社・発行元	一般社団法人電子情報通信学会
巻・号・頁	106(439),31-36頁
著者・共著者	福田雅治,山内博,飯塚正明,工藤一浩
概要	有機静電誘導トランジスタ(organic static induction transistor: OSIT)は高速動作・大電力・低電圧駆動が可能なディスプレイ駆動素子として期待されている。本研究ではOSITの素子構造を最適化することで特性を改善することを目的としている。本報告ではCuPcを用いたOSITにおいて、ゲート電極ギャップの大きさの変化が素子に与える影響を調べた。その結果、ゲート電極間が1μmのSITを作製することで、今まで報告してきたCuPc-SITよりも高いon/off比を得ることが出来た。
ISSN	0913-5685
PermalinkURL	http://id.ndl.go.jp/bib/8604393