サトウ　ノブオ   Satoh Nobuo   佐藤　宣夫    所属   千葉工業大学  工学部 宇宙・半導体工学科    千葉工業大学  工学研究科 工学専攻    千葉工業大学  工学研究科 機械電子創成工学専攻    職種   教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	2000/02/02
形態種別	学術雑誌
査読	査読あり
標題	Impurity reduction and crystalline quality improvement due to isovalent doping (In) in GaAs epilayers on Si substrate by chemical beam epitaxy
執筆形態	共著
掲載誌名	J. Crys. Growth
掲載区分	国外
巻・号・頁	209(4),pp.621-624
著者・共著者	S. Saravanan, M. Adachi, N. Satoh, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno
DOI	10.1016/S0022-0248(99)00750-2
ISSN	0022-0248
PermalinkURL	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024899007502