ヤマウチ　ヒロシ   Yamauchi Hiroshi   山内　博    所属   千葉工業大学  工学部 宇宙・半導体工学科    職種   准教授
言語種別	日本語
発行・発表の年月	2012/10
形態種別	論文その他
標題	準熱平衡条件下でのペンタセン結晶成長における外部電界の効果
執筆形態	共著
掲載誌名	電子情報通信学会技術報告
掲載区分	国内
出版社・発行元	一般社団法人電子情報通信学会
巻・号・頁	112(244),31-34頁
著者・共著者	鵜澤裕彰,神谷真司,酒井正俊,國吉繁一,山内 博,工藤一浩
概要	本研究では、代表的な有機半導体材料であるペンタセンの電界による選択成長を目指し、準熱平衡条件下の結晶成長における外部電界の効果を検証した。基板上にあらかじめ作製した電極に電圧を印加した状態で、温度勾配をつけた石英管中でペンタセン結晶を気相成長させた。片側の電極に+50Vを印加し、もう片側の電極を接地した場合には、接地側にペンタセンの結晶成長がみられた。同様に片側を-50V、もう片側を接地した場合には、-50Vを印加した電極上にペンタセンの結晶成長が見られた。印加電圧が0Vの場合にはペンタセンの結晶は成長しなかった。極性を持たないペンタセンにおいても、準熱平衡条件下の結晶成長において外部電界の効果が観測された。
ISSN	0913-5685
PermalinkURL	http://id.ndl.go.jp/bib/024079280