ヤマウチ　ヒロシ   Yamauchi Hiroshi   山内　博    所属   千葉工業大学  工学部 宇宙・半導体工学科    職種   准教授
言語種別	日本語
発行・発表の年月	2012/05
形態種別	論文その他
標題	(BEDT-TTF) (TCNQ)結晶におけるインピーダンス測定
執筆形態	共著
掲載誌名	電子情報通信学会技術研究報告
掲載区分	国内
出版社・発行元	一般社団法人電子情報通信学会
巻・号・頁	112(57),45-47頁
著者・共著者	酒井正俊,花田光聡,山崎陽太,国吉繁一,山内博,中村雅一,工藤一浩
概要	有機モット絶縁体(BEDT-TTF)(TCNQ)は、ドナー性分子bis(ethylenedithio)-tetrathiafulvalene(BEDT-TTF)とアクセプタ性分子7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane(TCNQ)により形成される有機モット絶縁体で、330Kで金属-絶縁体転移を起こすことが知られている。これまでの誘電応答測定により、Si基板表面に成長させた(BEDT-TTF)(TCNQ)結晶において、285Kにおいて強誘電相転移が起こることが明らかとなっていた。今回は強誘電相転移温度前後の温度領域において、静電容量および誘電正接の周波数・温度依存性を測定した。観測された誘電応答をCole-Coleプロットにより分離し、(BEDT-TTF)(TCNQ)の複素誘電率に相当する成分を抽出した。誘電応答はHavriliak-Negami型の不均一な分布を持つ緩和により説明された。
ISSN	0913-5685
PermalinkURL	http://id.ndl.go.jp/bib/023743221