サトウ　ノブオ   Satoh Nobuo   佐藤　宣夫    所属   千葉工業大学  工学部 宇宙・半導体工学科    千葉工業大学  工学研究科 工学専攻    千葉工業大学  工学研究科 機械電子創成工学専攻    職種   教授
言語種別	日本語
発行・発表の年月	2022/12/01
形態種別	学術雑誌
査読	査読あり
標題	窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの内部構造評価
執筆形態	共著
掲載誌名	電気学会論文誌Ｅ（センサ・マイクロマシン部門誌）
掲載区分	国内
出版社・発行元	電気学会
巻・号・頁	142(12),316-324頁
総ページ数	9
担当区分	最終著者,責任著者
著者・共著者	Keiichiro Kato, Hidekazu Yamamoto, Nobuo Satoh
概要	パワーデバイスの性能向上は，高効率な電力変換を行うために必要である．したがって，広帯域ギャップ半導体で作られたより優れたパワーデバイスが使用されるようになった．しかし，高速動作デバイスとしてのGaN-HEMTの複雑な構造のほとんどは詳細に分析されていない．本研究では，SEM，TEM，EDS，および多機能SPMを用いてGaN-HEMTの構造を明らかにした．SEMを用いて，ソースおよびドレイン電極近くの微細電極とp型GaN層の存在を明らかにした．TEMおよびEDSを用いて，約5nmの超格子ひずみ緩和層と約20nmのキャリア生成用AlGaN層の組成を明らかにした．多機能SPMを用いて，通常オフ機能のためのゲート電極下の厚さ約300nmのp型GaN層のドーパント極性を明らかにした．